vkontakte facebook twitter youtube rss instagram



«Швабе» определил направления развития лазерных излучателей

«Швабе» определил направления развития лазерных излучателей

Вклад Холдинга «Швабе», входящего в Государственную корпорацию Ростех, в перспективы развития полупроводниковых лазеров оценен на III Всероссийском симпозиуме «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», который состоялся в Санкт-Петербурге.

В рамках мероприятия специалисты «Швабе» представили доклады и обсудили с представителями ведущих научных учреждений России, работающих по направлениям фундаментальных и прикладных исследований в области полупроводниковых лазеров, актуальные проблемы получения, анализа и применения различных типов излучателей.

Участники симпозиума отметили инновационность представленных работ Холдинга и высоко оценили проводимые разработки и исследования «Швабе» в данной области.

В частности, большой интерес специалистов вызвали доклады ученых предприятия «Швабе» – ОАО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» – о создании лазерных излучателей повышенной мощности и расширении функциональных возможностей полупроводниковых лазеров за счет использования гетероструктур – искусственных структур, изготовленных из двух или более различных полупроводниковых материалов.

Специалистами отмечена возрастающая востребованность полупроводниковых излучателей с выходными характеристиками, превосходящими возможности отдельных лазерных диодов. Очевидным путем практической реализации таких приборов является создание интегрированных (многоэлементных) лазерных излучателей. При помощи интеграции решается задача повышения важнейшего параметра – выходной мощности. Линейки и решетки лазерных диодов позволяют в десятки и сотни раз увеличить данный параметр.